|
標簽：
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術。在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會，公司高級研究員Mark Bohr表示技術路標展示了因特爾在半導體制造工藝技術上始終處于行業(yè)領頭的地位
英特爾公布了即將到來的代號為P1272 and P1273的14納米制程技術，其準備于2013年投產。供應商宣稱將將在三個州生產測試上述產品。
英特爾已經進入了14nm工藝水平 AMD和NV怎么看？
英特爾先前確認對上述三種fab投資以應用于14納米及更低的制程技術。
此外，英特爾宣稱對10納米，7納米，5納米制程技術的研究將開始于2015年。
2011年5月，英特爾宣稱其三維三柵級晶體管取得了突破性的進展，能夠使芯片以低電壓較少泄漏量的情況下工作，與老式的晶體管相比在表現(xiàn)性能和能源利用率方面提高了很多。新型的晶體管已應用于第三代酷睿i系列處理器于2011年底大批量生產。由此可以看出英特爾目前不僅制造工藝取得了巨大突破，甚至遠遠領先了臺積電和三星的同級別工藝，而NVIDIA和AMD目前連20nm都沒能用上的情況下會如何評論呢？
|
